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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NDD60N900U1-1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 5.7A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 900 毫歐 @ 2.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 12nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 360pF @ 50V

功率 - 最大值: 74W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *