- 產品型號:NDD01N60-1G
- 制 造 商:ON(安森美半導體)
- 出廠封裝:I-Pak
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
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ON安森美半導體完整型號:NDD01N60-1G
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 200mA, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.2nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):160pF @ 25V
功率 - 最大值:46W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商器件封裝:I-Pak