- 產(chǎn)品型號:MUN2135T1G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:*
- 功能類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
- 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供MUN2135T1G報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
MUN2135T1G >>> 安森美芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ON安森美公司MUN2135T1G報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購MUN2135T1G?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ON安森美半導(dǎo)體完整型號: MUN2135T1G
制造廠家名稱: ON Semiconductor
功能總體簡述: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
系列: -
晶體管類型: PNP - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V
電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 2.2k
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆): 47k
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 250mV @ 300μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值): 500nA
頻率 - 躍遷: -
功率 - 最大值: 230mW
安裝類型: *
封裝/外殼: *
供應(yīng)商器件封裝: *