- 產(chǎn)品型號:MCH6626-TL-E
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:6-SMD
- 功能類別:FET - 陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: MCH6626-TL-E
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
系列: -
FET 類型: N 和 P 溝道
FET 功能: 邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 1.6A,1A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 230 毫歐 @ 800mA,4V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 1.4nC @ 4V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 105pF @ 10V
功率 - 最大值: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-SMD,扁平引線
供應(yīng)商器件封裝: 6-MCPH