- 產(chǎn)品型號:J112G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-92-3
- 功能類別:JFET結(jié)點(diǎn)場效應(yīng)管
- 功能描述:JFET N-CH 35V 350MW TO92
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:J112G
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:JFET N-CH 35V 350MW TO92
系列:-
FET 類型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):35V
漏源極電壓 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):5mA @ 15V
漏極電流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):1V @ 1μA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
電阻 - RDS(開):50 歐姆
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3
功率 - 最大值:350mW