- 產(chǎn)品型號(hào):EFC6605R-TR
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:6-EFCP
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH EFCP
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):EFC6605R-TR
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH EFCP
系列:-
FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss):-
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):-
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):-
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):19.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-XFBGA
供應(yīng)商器件封裝:6-EFCP (1.9x1.46)