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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): ECH8620-TL-E
制造廠(chǎng)家名稱(chēng): SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
系列: -
FET 類(lèi)型: N 和 P 溝道
FET 功能: 邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）: 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 2A，1.5A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: 260 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 13.8nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 650pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.3W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD，扁平引線(xiàn)
供應(yīng)商器件封裝: 8-ECH