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ON安森美半導體完整型號：CS8312YDR8

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC

系列：-

配置：低端

輸入類型：非反相

延遲時間：30μs

電流 - 峰值：5mA

配置數(shù)：1

輸出數(shù)：1

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：-

電壓 - 電源：7 V ~ 10 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOIC N