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BVSS123LT1G
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ON安森美半導體完整型號:BVSS123LT1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):170mA(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6 歐姆 @ 100mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):20pF @ 25V

功率 - 最大值:225mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應商器件封裝:SOT-23-3


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