- 產(chǎn)品型號(hào):5LN01C-TB-E
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:3-CP
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):5LN01C-TB-E
制造廠家名稱(chēng):ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss):50V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7.8 歐姆 @ 50mA,4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1.57nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):6.6pF @ 10V
功率 - 最大值:250mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝:3-CP