- 產(chǎn)品型號:2SK3666-4-TB-E
- 制 造 商:ON(安森美半導體)
- 出廠封裝:3-CP
- 功能類別:JFET結(jié)點場效應(yīng)管
- 功能描述:JFET N-CH 30V 10MA 200MW CP
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ON安森美半導體完整型號:2SK3666-4-TB-E
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:JFET N-CH 30V 10MA 200MW CP
系列:-
FET 類型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):30V
漏源極電壓 (Vdss):30V
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):2.5mA @ 10V
漏極電流 (Id) - 最大值:10mA
不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):180mV @ 1μA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4pF @ 10V
電阻 - RDS(開):200 歐姆
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝:3-CP
功率 - 最大值:200mW