- 產(chǎn)品型號:PSMN2R0-60ES
- 制 造 商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
- 功能類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
PSMN2R0-60ES >>> Nexperia芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Nexperia公司PSMN2R0-60ES報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購PSMN2R0-60ES?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Nexperia公司器件型號:PSMN2R0-60ES,127
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
系列:-
零件狀態(tài):在售
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):137nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9997pF @ 30V
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):338W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 25A,10V
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:I2PAK
封裝形式:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
PSMN2R0-60ES的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):- PCS