- 產(chǎn)品型號(hào):PMXB65UPEZ
- 制 造 商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:3-XDFN
- 功能類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
- 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
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Nexperia公司器件型號(hào):PMXB65UPEZ
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
系列:-
零件狀態(tài):在售
FET 類型:P 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.2A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):12nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):634pF @ 6V
Vgs(最大值):±8V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):317mW(Ta),8.33W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):72 毫歐 @ 3.2A,4.5V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:DFN1010D-3
封裝形式:3-XDFN
PMXB65UPEZ的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):5000 PCS