- 產(chǎn)品型號(hào):PMXB120EPE
- 制 造 商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:3-XDFN
- 功能類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
- 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
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Nexperia公司器件型號(hào):PMXB120EPE
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
系列:-
零件狀態(tài):在售
FET 類型:P 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.4A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):309pF @ 15V
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):400mW(Ta),8.3W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):120 毫歐 @ 2.4A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:DFN1010D-3
封裝形式:3-XDFN
PMXB120EPE的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):5000 PCS