- 產(chǎn)品型號:PHKD3NQ10T
- 制 造 商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:FET,MOSFET - 陣列-晶體管
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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Nexperia公司器件型號:PHKD3NQ10T,518
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
所屬類別:FET,MOSFET - 陣列-晶體管
系列:TrenchMOS??
零件狀態(tài):在售
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):90 毫歐 @ 1.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):21nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):633pF @ 20V
功率 - 最大值:2W
工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
封裝形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:8-SO
PHKD3NQ10T的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):10000 PCS