- 產(chǎn)品型號(hào):PHB32N06LT
- 制 造 商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 功能類(lèi)別:FET,MOSFET - 單-晶體管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
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Nexperia公司器件型號(hào):PHB32N06LT,118
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
所屬類(lèi)別:FET,MOSFET - 單-晶體管
系列:TrenchMOS??
零件狀態(tài):在售
FET 類(lèi)型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):17nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1280pF @ 25V
Vgs(最大值):±15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):97W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):37 毫歐 @ 20A,10V
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝
Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:D2PAK
封裝形式:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
PHB32N06LT的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):800 PCS