- 產(chǎn)品型號(hào):PDTA114EQAZ
- 制 造 商:Nexperia(安世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:DFN1010D-3
- 功能類別:雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置-晶體管
- 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 3DFN
PDTA114EQAZ >>> Nexperia芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Nexperia公司PDTA114EQAZ報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購PDTA114EQAZ?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對(duì)有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Nexperia公司器件型號(hào):PDTA114EQAZ
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:TRANS PREBIAS PNP 3DFN
所屬類別:雙極 (BJT) - 單,預(yù)偏置-晶體管
系列:汽車級(jí),AEC-Q101
零件狀態(tài):在售
晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值):1μA
頻率 - 躍遷:180MHz
功率 - 最大值:280mW
安裝類型:表面貼裝
封裝形式:3-XDFN
Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:DFN1010D-3
PDTA114EQAZ的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):5000 PCS