- 產品型號:PSMN1R8-30PL,127
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導體)
- 出廠封裝:TO-220AB
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB
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NXP恩智浦完整型號:PSMN1R8-30PL,127
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):170nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):10180pF @ 12V
功率 - 最大值:270W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商器件封裝:TO-220AB