- 產(chǎn)品型號:PMZB350UPE,315
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導體)
- 出廠封裝:3-DFN1006B
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
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NXP恩智浦完整型號:PMZB350UPE,315
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
系列:-
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):450 毫歐 @ 300mA,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):127pF @ 10V
功率 - 最大值:360mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XFDFN
供應商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1)