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NXP恩智浦完整型號: PMXB65UPEZ

制造廠家名稱: NXP Semiconductors

功能總體簡述: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 12V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 3.2A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 72 毫歐 @ 3.2A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 12nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 634pF @ 6V

功率 - 最大值: 317mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 3-XDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝: DFN1010D-3