- 產(chǎn)品型號(hào):PMWD26UN,518
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-TSSOP
- 功能類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
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NXP恩智浦完整型號(hào):PMWD26UN,518
制造廠家名稱(chēng):NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
系列:TrenchMOS?
FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):7.8A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):30 毫歐 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):23.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1366pF @ 16V
功率 - 最大值:3.1W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP