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NXP恩智浦完整型號：PMGD8000LN,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

系列：TrenchMOS?

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：125mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8 歐姆 @ 10mA，4V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.35nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：18.5pF @ 5V

功率 - 最大值：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商器件封裝：6-TSSOP