- 產(chǎn)品型號:PMDXB600UNEZ
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導體)
- 出廠封裝:6-DFN
- 功能類別:場效應管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
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NXP恩智浦完整型號:PMDXB600UNEZ
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
系列:TrenchFET
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):600mA
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):620 毫歐 @ 600mA, 4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):21.3pF @ 10V
功率 - 最大值:265mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:6-DFN (1.1x1)