- 產(chǎn)品型號:PMDT290UCE,115
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:SOT-666
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT666
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NXP恩智浦完整型號:PMDT290UCE,115
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT666
系列:-
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):800mA,550mA
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):380 毫歐 @ 500mA,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):0.95V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.68nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):83pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商器件封裝:SOT-666