- 產(chǎn)品型號:PMDPB55XP,115
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:6-HUSON
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供PMDPB55XP,115報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
PMDPB55XP,115 >>> NXP芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供NXP公司PMDPB55XP,115報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購PMDPB55XP,115?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
NXP恩智浦完整型號:PMDPB55XP,115
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
系列:-
FET 類型:2 個 P 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.4A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):70 毫歐 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):785pF @ 10V
功率 - 最大值:490mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON(2x2)