- 產(chǎn)品型號:PHT6NQ10T,135
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:SC-73
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
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NXP恩智浦完整型號:PHT6NQ10T,135
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
系列:TrenchMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):90 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):21nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):633pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝:SC-73