- 產(chǎn)品型號:PHKD6N02LT,518
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
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NXP恩智浦完整型號:PHKD6N02LT,518
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
系列:TrenchMOS?
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10.9A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 3A,5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15.3nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):950pF @ 10V
功率 - 最大值:4.17W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO