- 產(chǎn)品型號(hào):PHD37N06LT,118
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:DPAK
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
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NXP恩智浦完整型號(hào):PHD37N06LT,118
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
系列:TrenchMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):37A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):32 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):22.5nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1400pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:DPAK