- 產(chǎn)品型號:PHB20N06T,118
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:D2PAK
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
PHB20N06T,118 >>> NXP芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供NXP公司PHB20N06T,118報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購PHB20N06T,118?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
NXP恩智浦完整型號:PHB20N06T,118
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
系列:TrenchMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):20.3A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):75 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):483pF @ 25V
功率 - 最大值:62W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK