- 產(chǎn)品型號:PHB18NQ10T,118
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:D2PAK
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
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NXP恩智浦完整型號:PHB18NQ10T,118
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
系列:TrenchMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):90 毫歐 @ 9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):21nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):633pF @ 25V
功率 - 最大值:79W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK