- 產(chǎn)品型號(hào):BUK7K6R8-40E,115
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:LFPAK56D
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
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NXP恩智浦完整型號(hào):BUK7K6R8-40E,115
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
系列:TrenchMOS?
FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):40A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):6.8 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):28.9nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1947pF @ 25V
功率 - 最大值:64W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-1205, 8-LFPAK56
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56D