- 產(chǎn)品型號:APTMC60TL11CT3AG
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出廠封裝:SP3
- 功能類別:場效應(yīng)管模塊
- 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
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Microsemi美高森美完整型號:APTMC60TL11CT3AG
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
系列:-
FET 類型:4 個 N 通道(三級反相器)
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):28A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):98 毫歐 @ 20A, 20V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):49nC @ 20V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):950pF @ 1000V
功率 - 最大值:125W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP3
供應(yīng)商器件封裝:SP3