- 產品型號:APTM60H23FT1G
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出廠封裝:SP1
- 功能類別:場效應管模塊
- 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
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Microsemi美高森美完整型號:APTM60H23FT1G
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
系列:-
FET 類型:4 個 N 通道(H 橋)
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):20A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):276 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):165nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5316pF @ 25V
功率 - 最大值:208W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP1
供應商器件封裝:SP1