- 產(chǎn)品型號:APTM10UM02FAG
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出廠封裝:SP6
- 功能類別:場效應(yīng)管模塊
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 570A SP6
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Microsemi美高森美完整型號:APTM10UM02FAG
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET N-CH 100V 570A SP6
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):570A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 200A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1360nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):40000pF @ 25V
功率 - 最大值:1660W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP6
供應(yīng)商器件封裝:SP6