- 產(chǎn)品型號:APTM100UM45DAG
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出廠封裝:SP6
- 功能類別:場效應管模塊
- 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
深圳市諾森半導電子有限公司提供APTM100UM45DAG報價、現(xiàn)貨供應、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
APTM100UM45DAG >>> Microsemi芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供Microsemi公司APTM100UM45DAG報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購APTM100UM45DAG?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
Microsemi美高森美完整型號:APTM100UM45DAG
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
系列:POWER MOS 7
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):215A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):52 毫歐 @ 107.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1602nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):42700pF @ 25V
功率 - 最大值:5000W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP6
供應商器件封裝:SP6