- 產(chǎn)品型號(hào):APTCV40H60CT1G
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出廠封裝:SP1
- 功能類別:IGBT模塊
- 功能描述:IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
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Microsemi美高森美完整型號(hào):APTCV40H60CT1G
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
系列:-
IGBT 類型:溝道和場(chǎng)截止
配置:全橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80A
功率 - 最大值:176W
不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):1.9V @ 15V,50A
電流 - 集電極截止(最大值):250μA
不同 Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):3.15nF @ 25V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:是
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP1
供應(yīng)商器件封裝:SP1