- 產(chǎn)品型號(hào):APTC60DDAM70T3G
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出廠封裝:SP3
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管模塊
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
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Microsemi美高森美完整型號(hào):APTC60DDAM70T3G
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
系列:-
FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):39A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):259nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7000pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP3
供應(yīng)商器件封裝:SP3