- 產(chǎn)品型號(hào):APTC60AM45T1G
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出廠封裝:SP1
- 功能類別:場效應(yīng)管模塊
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
APTC60AM45T1G >>> Microsemi芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Microsemi公司APTC60AM45T1G報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購APTC60AM45T1G?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對(duì)有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Microsemi美高森美完整型號(hào):APTC60AM45T1G
制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
系列:-
FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋)
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):49A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):150nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7200pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP1
供應(yīng)商器件封裝:SP1