- 產(chǎn)品型號(hào):APT65GP60B2G
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出廠封裝:原廠封裝
- 功能類(lèi)別:單路IGBT
- 功能描述:IGBT 600V 100A 833W TMAX
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Microsemi美高森美完整型號(hào):APT65GP60B2G
制造廠家名稱(chēng):Microsemi Power Products Group
描述:IGBT 600V 100A 833W TMAX
系列:POWER MOS 7
IGBT 類(lèi)型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100A
Current - Collector Pulsed (Icm):250A
不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.7V @ 15V,65A
功率 - 最大值:833W
Switching Energy:605μJ (開(kāi)), 896μJ (關(guān))
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge:210nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:30ns/91ns
Test Condition:400V, 65A, 5 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
封裝/外殼:TO-247-3 變式
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:*