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Microsemi美高森美完整型號：APT50GP60B2DQ2G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 600V 150A 625W TMAX

系列：POWER MOS 7

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：150A

Current - Collector Pulsed (Icm)：190A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，50A

功率 - 最大值：625W

Switching Energy：465μJ （開）， 635μJ （關(guān)）

輸入類型：標準

Gate Charge：165nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：19ns/85ns

Test Condition：400V, 50A, 4.3 歐姆, 15V

反向恢復時間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-247-3 變式

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：*