- 產(chǎn)品型號(hào):DN2625DK6-G
- 制 造 商:Microchip(微芯科技)
- 出廠封裝:8-DFN
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
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Microchip公司完整型號(hào):DN2625DK6-G
制造廠家名稱:Microchip Technology
描述:MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
系列:-
FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:耗盡模式
漏源極電壓 (Vdss):250V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.1A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1A, 0V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):7.04nC @ 1.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1000pF @ 25V
功率 - 最大值:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:8-DFN (5x5)