- 產(chǎn)品型號(hào):MG12200D-BA1MM
- 制 造 商:Littelfuse(力特半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:模塊
- 功能類別:晶體管IGBT模塊
- 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W PKG D
MG12200D-BA1MM >>> Littelfuse芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Littelfuse公司MG12200D-BA1MM報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)MG12200D-BA1MM?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
制造商零件編號(hào):MG12200D-BA1MM
制造商:Littelfuse Inc.
描述:IGBT 1200V 300A 1400W PKG D
零件狀態(tài):在售
IGBT 類型:-
配置:半橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值):300A
功率 - 最大值:1400W
不同 Vge,Ic 時(shí)的 Vce(on):1.8V @ 15V,200A(標(biāo)準(zhǔn))
電流 - 集電極截止(最大值):1mA
不同 Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):14.9nF @ 25V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:無(wú)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封裝:D3