- 產(chǎn)品型號(hào):SPD08P06PGBTMA1
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:TO-252-3,DPak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào): SPD08P06PGBTMA1
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
系列: SIPMOS
FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 8.83A(Ta)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 300 毫歐 @ 10A,6.2V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 13nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 420pF @ 25V
功率 - 最大值: 42W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO252-3