- 產(chǎn)品型號:SPB100N08S2L-07
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:P-TO263-3
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
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Infineon英飛凌公司完整型號:SPB100N08S2L-07
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):75V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 68A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):246nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):7130pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝:P-TO263-3