- 產(chǎn)品型號(hào):IPW50R299CP
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO247-3
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPW50R299CP
制造廠家名稱(chēng):Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
系列:CoolMOS?
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):550V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):299 毫歐 @ 6.6A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1190pF @ 100V
功率 - 最大值:104W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3