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Infineon英飛凌公司完整型號(hào): IPS65R1K0CEAKMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

系列: CoolMOS CE

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 650V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 4.3A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 1 歐姆 @ 1.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 200μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 15.3nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 328pF @ 100V

功率 - 最大值: 37W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-251-3 短截引線，IPak

供應(yīng)商器件封裝: TO-251