- 產(chǎn)品型號:IPS12CN10L G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO251-3
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPS12CN10L G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):69A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11.8 毫歐 @ 69A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 83μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):58nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5600pF @ 50V
功率 - 最大值:125W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO251-3