- 產(chǎn)品型號:IPP114N12N3 G
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:TO-220-3
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPP114N12N3 G
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):120V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):75A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11.4 毫歐 @ 75A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 83μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4310pF @ 60V
功率 - 最大值:136W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3