- 產品型號:IPP037N08N3 G E8181
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:TO-220-3
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
深圳市諾森半導電子有限公司提供IPP037N08N3 G E8181報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格,那就馬上與我們聯系吧!
IPP037N08N3 G E8181 >>> 英飛凌芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供英飛凌公司IPP037N08N3 G E8181報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯系吧!
采購IPP037N08N3 G E8181?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現貨供應服務!
Infineon英飛凌公司完整型號:IPP037N08N3 G E8181
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.75 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 155μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):117nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8110pF @ 40V
功率 - 最大值:214W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商器件封裝:TO-220-3