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Infineon英飛凌公司完整型號(hào): IPG20N06S4L26ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

系列: OptiMOS?

FET 類型: 2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）: 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 20A

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: 26 毫歐 @ 17A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 10μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 20nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 1430pF @ 25V

功率 - 最大值: 33W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝: PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）